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文献
J-GLOBAL ID：200902161209687912
整理番号：96A0795689
電子シェーディング効果により引き起こされるSiプロセスプラズマ中の電荷ビルドアップ
Charge build-up in Si-processing plasma caused by electron shading effect.
KAMATA T
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
ARIMOTO H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 80 号： 5 ページ： 2637-2642 発行年： 1996年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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