文献
J-GLOBAL ID:200902161243707310
整理番号:03A0079043
ボイド支援剥離を用いた水素化物気相エピタクシーによるフリースタンディングGaNウエハの製作
Fabrication of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor-Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation.
著者 (5件):
OSHIMA Y
(Hitachi Cable Ltd, Ibaraki, JPN)
,
ERI T
(Hitachi Cable Ltd, Ibaraki, JPN)
,
SHIBATA M
(Hitachi Cable Ltd, Ibaraki, JPN)
,
SUNAKAWA H
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
USUI A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
194
号:
2
ページ:
554-558
発行年:
2002年12月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)