文献
J-GLOBAL ID:200902161249209525
整理番号:93A0289230
分子ビームエピタキシャル成長のInSb層とダイオード構造の特性評価
Characterization of molecular beam epitaxially grown InSb layers and diode structures.
著者 (5件):
LEE G S
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
,
THOMPSON P E
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
,
DAVIS J L
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
,
OMAGGIO J P
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
,
SCHMIDT W A
(Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
36
号:
3
ページ:
387-389
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)