文献
J-GLOBAL ID:200902161258938343
整理番号:01A1035831
ほとんどシリコン限界に達する高電圧パワーMOSFET
High-Voltage Power MOSFETs Reached Almost to the Silicon Limit.
著者 (7件):
KOBAYASHI T
(Fuji Hitach Power Semiconductor Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
ABE H
(Fuji Hitach Power Semiconductor Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
NIIMURA Y
(Fuji Hitach Power Semiconductor Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
YAMADA T
(Fuji Hitach Power Semiconductor Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
KUROSAKI A
(Fuji Hitach Power Semiconductor Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
HOSEN T
(Fuji Hitach Power Semiconductor Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
FUJIHIRA T
(Fuji Hitach Power Semiconductor Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
13th
ページ:
435-438
発行年:
2001年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)