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文献
J-GLOBAL ID：200902161347127758
整理番号：96A0624871
深いサブミクロンライン中のPtSi膜の電気的,構造的特性
Electrical and structural properties of PtSi films in deep submicron lines.
XU D-X
(National Res. Council, Ontario, CAN)
,
MCCAFFREY J P
(National Res. Council, Ontario, CAN)
,
DAS S R
(National Res. Council, Ontario, CAN)
,
AERS G C
(National Res. Council, Ontario, CAN)
,
ERICKSON L E
(National Res. Council, Ontario, CAN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 25 ページ： 3588-3590 発行年： 1996年06月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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