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文献
J-GLOBAL ID：200902161350949572
整理番号：00A0075676
1μmゲート長を持つダイヤモンド薄膜の高効率な金属-半導体電界効果トランジスタ
High-Performance Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with 1μm Gate Length.
UMEZAWA H
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
TSUGAWA K
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMANAKA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
TAKEUCHI D
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
OKUSHI H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KAWARADA H
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 11A ページ： L1222-L1224 発行年： 1999年11月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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