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文献
J-GLOBAL ID：200902161530348194
整理番号：93A0526057
Structural and electronic properties of GaAs:C and AlxGa1-xAs:C grown by solid-source molecular beam epitaxy.
GIANNINI C
(Centro Nazionale Ricerca e Sviluppo Materiali(CNRSM), Mesagne, ITA)
,
BRANDT O
(Mitsubishi Central Research Lab., Hyogo, JPN)
,
FISCHER A
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
PLOOG K H
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
TAPFER L
(Centro Nazionale Ricerca e Sviluppo Materiali(CNRSM), Mesagne, ITA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 127 号： 1/4 ページ： 724-727 発行年： 1993年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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