文献
J-GLOBAL ID:200902161667942301
整理番号:99A1016310
ウエハ溶解超格子バリアを用いたInGaAsP/InP MQW活性領域からのルミネセンスの改善
Improved Luminescence from InGaAsP/InP MQW Active Regions using a Wafer Fused Superlattice Barrier.
著者 (5件):
BLACK K A
(Univ. California at Santa Barbara, CA)
,
ABRAHAM P
(Univ. California at Santa Barbara, CA)
,
KARIM A
(Univ. California at Santa Barbara, CA)
,
BOWERS J E
(Univ. California at Santa Barbara, CA)
,
HU E L
(Univ. California at Santa Barbara, CA)
資料名:
Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
(Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
巻:
11th
ページ:
357-360
発行年:
1999年
JST資料番号:
W0731A
ISSN:
1092-8669
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)