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文献
J-GLOBAL ID：200902161738685933
整理番号：98A0511235
バットカップリング導波路と高い反射率をもつ半導体/空気Bragg反射器(SABAR)を用いて集積化した1.3μm GaInAsPレーザ
1.3μm GaInAsP lasers integrated with butt-coupled waveguide and high reflective semiconductor/air Bragg reflector(SABAR).
MUKAIHARA T
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
YAMANAKA N
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
IWAI N
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
ISHIKAWA T
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
,
KASUKAWA A
(Furukawa Electric Co., Ltd., Yokohama, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 34 号： 9 ページ： 882-884 発行年： 1998年04月30日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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