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文献
J-GLOBAL ID：200902161744736221
整理番号：01A0493969
一酸化窒素中の高温アニールによる4H-SiC MOSFET反転チャネル移動度の改善
Improved Inversion Channel Mobility for 4H-SiC MOSFETs Following High Temperature Anneals in Nitric Oxide.
CHUNG G Y
(Auburn Univ., AL, USA)
,
TIN C C
(Auburn Univ., AL, USA)
,
MCDONALD K
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
CHANANA R K
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
WELLER R A
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
PANTELIDES S T
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
HOLLAND O W
(Oak Ridge National Lab., TN, USA)
,
DAS M K
(Cree Res., Inc., NC, USA)
,
PALMOUR J W
(Cree Res., Inc., NC, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 22 号： 4 ページ： 176-178 発行年： 2001年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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