文献
J-GLOBAL ID:200902161810549675
整理番号:93A0596210
完全ポテンシャル線形マフィンティン軌道法によるGaNの電子及び構造特性 d電子の役割
Electronic and structural properties of GaN by the full-potential linear muffin-tin orbitals method: The role of the d electrons.
著者 (3件):
FIORENTINI V
(Fritz-Haber-Inst. Max-Planck-Gesellschaft, Berlin, DEU)
,
METHFESSEL M
(Fritz-Haber-Inst. Max-Planck-Gesellschaft, Berlin, DEU)
,
SCHEFFLER M
(Fritz-Haber-Inst. Max-Planck-Gesellschaft, Berlin, DEU)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
47
号:
20
ページ:
13353-13362
発行年:
1993年05月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)