文献
J-GLOBAL ID:200902161827978359
整理番号:97A0788893
1.3μm GaInNAs/GaAs半導体レーザの室温パルス発振
Room-temperature pulsed operation of 1.3μm GaInNAs/GaAs laser diode.
著者 (4件):
SATO S
(Ricoh Co., Ltd., Miyagi, JPN)
,
OSAWA Y
(Ricoh Co., Ltd., Miyagi, JPN)
,
SAITOH T
(Ricoh Co., Ltd., Miyagi, JPN)
,
FUJIMURA I
(Ricoh Co., Ltd., Miyagi, JPN)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
33
号:
16
ページ:
1386-1387
発行年:
1997年07月31日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)