文献
J-GLOBAL ID:200902161833936676
整理番号:93A0819410
Model for predicting the effects of device geometry on the capacitance of field emitter array cathodes.
著者 (4件):
OHLINGER W L
(Georgia Inst. Technology, Georgia)
,
HILL D N
(Georgia Inst. Technology, Georgia)
,
FEENEY R K
(Georgia Inst. Technology, Georgia)
,
MUNN<span style=text-decoration:overline>E ́</span> V
(Georgia Inst. Technology, Georgia)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
11
号:
4
ページ:
1270-1274
発行年:
1993年07月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)