文献
J-GLOBAL ID:200902161930487258
整理番号:01A0458389
Ta2O5のND3アニールによって調製した超薄TaOxNyゲート誘電体の電気特性および信頼性特性
Electrical and Reliability Characteristics of an Ultrathin TaOxNy Gate Dielectric Prepared by ND3 Annealing of Ta2O5.
著者 (4件):
JUNG H
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
IM K
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
YANG D
(Jusung Engineering, Kyunggi, KOR)
,
HWANG H
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
21
号:
12
ページ:
563-565
発行年:
2000年12月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)