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文献
J-GLOBAL ID：200902161986797489
整理番号：94A0005133
Stress relaxation mechanisms by dislocations in the system Ge on Si.
ALBRECHT M
(Univ. Erlangen, Erlangen, DEU)
,
CHRISTIANSEN S
(Univ. Erlangen, Erlangen, DEU)
,
STRUNK H P
(Univ. Erlangen, Erlangen, DEU)
,
HANSSON P O
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
,
BAUSER E
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名：
Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena
(Diffusion and Defect Data Part B. Solid State Phenomena)
巻： 32/33 ページ： 433-444 発行年： 1993年
JST資料番号： T0583A ISSN： 1012-0394 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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