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文献
J-GLOBAL ID：200902162014875745
整理番号：94A0163658
最適化二重ヘテロ接合型シュウドモルフィックInP/InxGa1-xAs/InP(0.64≦x≦0.82)p-MODFETとその設計における歪の役割
Optimized Double Heterojunction Pseudomorphic InP/InxGa1-xAs/InP (0.64≦x≦0.82) p-MODFET’s and the Role of Strain in Their Design.
KUESTERS A M
(Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU)
,
KOHL A
(Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU)
,
SOMMER V
(Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU)
,
MUELLER R
(Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU)
,
HEIME K
(Inst. Halbeitertechnik, Aachen, DEU)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40 号： 12 ページ： 2164-2170 発行年： 1993年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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