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文献
J-GLOBAL ID：200902162206993903
整理番号：99A0584470
GaNエピタキシャル成長基板としての(La,Sr)(Al,Ta)O3単結晶の成長と評価
Growth and characterization of (La,Sr)(Al,Ta)O3 single crystals as substrates for GaN epitaxial growth.
SHIMAMURA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TABATA H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAKEDA H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KOCHURIKHIN V V
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FUKUDA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 194 号： 2 ページ： 209-213 発行年： 1998年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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