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文献
J-GLOBAL ID：200902162281210620
整理番号：93A0491075
Huge GaAs crystals grown by the LEC method.
SUZUKI T
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SHIBATA M
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
OTOKI Y
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
INADA T
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
KUMA S
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名：
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号： 129 ページ： 19-24 発行年： 1993年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別： 会議録 (C)
発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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