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文献
J-GLOBAL ID:200902162295359694   整理番号:99A0022359

衛星通信システム応用用低歪/高効率17WパワーGaAs FET

Low distortion and high efficiency 17W power GaAs FETs for satellite communication system applications.
著者 (7件):
TSUTSUI H
(NEC Corp., Shiga, JPN)
TAKENAKA I
(NEC Corp., Shiga, JPN)
TAKAHASHI H
(NEC Corp., Shiga, JPN)
ASANO K
(NEC Corp., Shiga, JPN)
MORIKAWA J
(NEC Corp., Shiga, JPN)
ISHIKURA K
(NEC Corp., Shiga, JPN)
KUZUHARA M
(NEC Corp., Shiga, JPN)

資料名:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)

巻: 1998  号: Vol.2  ページ: 715-718  発行年: 1998年 
JST資料番号: A0636A  ISSN: 0149-645X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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