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文献
J-GLOBAL ID：200902162359008793
整理番号：00A1007608
高ガス圧スパッタリングによるBaTiO3薄膜のエピタキシャル成長
Epitaxial Growth of BaTiO3 Thin Films by High Gas Pressure Sputtering.
YASUMOTO T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YANASE N
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
ABE K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KAWAKUBO T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 9B ページ： 5369-5373 発行年： 2000年09月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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