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文献
J-GLOBAL ID：200902162380183724
整理番号：94A0156259
SiC単結晶インゴットの(0001)基底面に垂直な面上での昇華成長
Sublimation growth of SiC single crystalline ingots on faces perpendicular to the (0001) basal plane.
TAKAHASHI J
(Nippon Steel Corp., Sagamihara, JPN)
,
KANAYA M
(Nippon Steel Corp., Sagamihara, JPN)
,
FUJIWARA Y
(Nippon Steel Corp., Sagamihara, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 135 号： 1/2 ページ： 61-70 発行年： 1994年01月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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