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文献
J-GLOBAL ID:200902162380183724   整理番号:94A0156259

SiC単結晶インゴットの(0001)基底面に垂直な面上での昇華成長

Sublimation growth of SiC single crystalline ingots on faces perpendicular to the (0001) basal plane.
著者 (3件):
TAKAHASHI J
(Nippon Steel Corp., Sagamihara, JPN)
KANAYA M
(Nippon Steel Corp., Sagamihara, JPN)
FUJIWARA Y
(Nippon Steel Corp., Sagamihara, JPN)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 135  号: 1/2  ページ: 61-70  発行年: 1994年01月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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