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文献
J-GLOBAL ID：200902162399147214
整理番号：96A0347456
ほう素イオン注入エッジ終端を持つ高電圧4H-SiC Schottky整流器の優れた逆阻止特性
Excellent Reverse Blocking Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers with Boron-Implanted Edge Termination.
ITOH A
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 17 号： 3 ページ： 139-141 発行年： 1996年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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