文献
J-GLOBAL ID:200902162542816114
整理番号:93A0739544
Breakdown of high-voltage silicon devices.
著者 (5件):
PETERKIN F E
(Univ. Nebraska-Lincoln, NE)
,
HANKLA B J
(Univ. Nebraska-Lincoln, NE)
,
PETERSON R A
(Univ. Nebraska-Lincoln, NE)
,
RHAGAVENDRAN A
(Univ. Nebraska-Lincoln, NE)
,
WILLIAMS P F
(Univ. Nebraska-Lincoln, NE)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
1873
ページ:
65-76
発行年:
1993年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)