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文献
J-GLOBAL ID：200902162754790956
整理番号：03A0046523
化学酸化物(Si-O-H)及び熱酸化物(SiO2またはSi-O-N)下層上の原子層堆積HfO2ゲート絶縁層の核形成と成長
Nucleation and growth of atomic layer deposited HfO2 gate dielectric layers on chemical oxide (Si-O-H) and thermal oxide (SiO2 or Si-O-N) underlayers.
GREEN M L
(Agere Systems, New Jersey)
,
HO M-Y
(Agere Systems, New Jersey)
,
BUSCH B
(Agere Systems, New Jersey)
,
CONARD T
(IMEC, Leuven, BEL)
,
BRIJS B
(IMEC, Leuven, BEL)
,
RAEISAENEN P I
(ASM America Inc., Arizona)
,
MULLER D
(Lucent Technol., New Jersey)
,
BUDE M
(Lucent Technol., New Jersey)
,
GRAZUL J
(Lucent Technol., New Jersey)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 92 号： 12 ページ： 7168-7174 発行年： 2002年12月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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