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文献
J-GLOBAL ID：200902163023851952
整理番号：01A0052274
前処理化学種のpHを制御してウエハ上に形成したNi/n-GaAsのSchottky障壁高さの二つのレベル 酸素吸着の効果
Two Levels of Ni/n-GaAs Schottky Barrier Heights Formed on a Wafer by Controlling pH of Pretreatment Chemicals. Effect of Oxygen Adsorption.
TSUZUKU T
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
SUGIMURA T
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
KASAI Y
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
INOKUMA T
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
IIYAMA K
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
,
TAKAMIYA S
(Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 10 ページ： 5788-5793 発行年： 2000年10月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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