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文献
J-GLOBAL ID：200902163024915610
整理番号：93A0265030
マグネシウムイオン注入GaAs-GaAlAsヘテロ構造の急速熱アニール実験と分布シミュレーション
Rapid Thermal Annealing of Magnesium Implanted GaAs-GaAlAs Heterostructures Experimental and Simulated Distributions.
KETATA K
(INSA de Rouen, Mont Saint Aignan, FRA)
,
DEBRIE R
(INSA de Rouen, Mont Saint Aignan, FRA)
,
KETATA M
(INSA de Rouen, Mont Saint Aignan, FRA)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 22 号： 1 ページ： 129-134 発行年： 1993年01月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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