文献
J-GLOBAL ID:200902163048902349
整理番号:93A0282098
エキシマレーザでアニールしたシリコン-窒化物ゲートをもつ高性能ポリSi薄膜トランジスタ
High-Performance Poly-Si Thin-Film Transistors with Excimer-Laser Annealed Silicon-Nitride Gate.
著者 (5件):
SHIMIZU K
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
NAKAMURA K
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
HIGASHIMOTO M
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
SUGIURA O
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
MATSUMURA M
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
32
号:
1B
ページ:
452-457
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)