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文献
J-GLOBAL ID：200902163172797901
整理番号：96A0876383
イオン促進型のSi/XeF2エッチング 100~1000K範囲の温度依存性
Ion-assisted Si/XeF2 etching: Temperature dependence in the range 100-1000K.
VUGTS M J M
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
HERMANS L J F
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
BEIJERINCK H C W
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 14 号： 5 ページ： 2820-2826 発行年： 1996年09月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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