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文献
J-GLOBAL ID：200902163219538845
整理番号：94A0089297
GaAs表面上のInGaAsの均一でコヒーレントな島からの量子サイズドットの直接形成
Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces.
LEONARD D
(Univ. California, California)
,
KRISHNAMURTHY M
(Univ. California, California)
,
REAVES C M
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
PETROFF P M
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 63 号： 23 ページ： 3203-3205 発行年： 1993年12月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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