文献
J-GLOBAL ID:200902163287145223
整理番号:93A0851303
種々の基板温度で堆積させた水素化非晶質けい素の構造的性質とデバイス特性との相関
Correlation of the structural properties with the device characteristics of hydrogenated amorphous silicon deposited at different substrate temperatures.
著者 (3件):
BHATTACHARYYA T K
(Indian Assoc. Cultivation of Science, Calcutta, IND)
,
CHAUDHURI P
(Indian Assoc. Cultivation of Science, Calcutta, IND)
,
BANERJEE R
(Indian Assoc. Cultivation of Science, Calcutta, IND)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
74
号:
5
ページ:
3211-3214
発行年:
1993年09月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)