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文献
J-GLOBAL ID：200902163307254156
整理番号：01A0690688
固体ソースMBEにより成長させた高品質エピタキシャル層と低次元ヘテロポリタイプSiC構造
High-quality SiC epitaxial layers and low-dimensional heteropolytypic SiC structures grown by solid-source MBE.
FISSEL A
(Friedrich-Schiller-Univ. Jena, Jena, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 227/228 ページ： 805-810 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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