文献
J-GLOBAL ID:200902163332079636
整理番号:93A0597486
反射高速電子回折強度でモニタしたパルスレーザ蒸着によるSrTiO3バッファ層のホモエピタキシャル成長
Reflection high-energy electron diffraction intensity monitored homoepitaxial growth of SrTiO3 buffer layer by pulsed laser deposition.
著者 (4件):
CHERN M Y
(IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
,
GUPTA A
(IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
,
HUSSEY B W
(IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
,
SHAW T M
(IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
11
号:
3
ページ:
637-641
発行年:
1993年05月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)