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文献
J-GLOBAL ID：200902163457304755
整理番号：98A0016820
エキシマレーザを利用した単結晶シリコン薄膜トランジスタの製作
Excimer-Laser-Produced Single-Crystal Silicon Thin-Film Transistors.
ISHIHARA R
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MATSUMURA M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 10 ページ： 6167-6170 発行年： 1997年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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