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文献
J-GLOBAL ID:200902163560082345   整理番号:98A0261456

3C-SiC中の電子捕獲中心におけるキャリア放出と捕獲の過程の研究

Study of Carrier Emission and Capture Processes at Electron Traps in 3C-SiC.
著者 (6件):
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
KOGA Y
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
ABE T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
ARAI E
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
YAMADA N
(Toyota Central Res. and Dev. Lab. Inc., Aichi, JPN)
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 37  号: 1A/B  ページ: L18-L20  発行年: 1998年01月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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