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文献
J-GLOBAL ID：200902163560082345
整理番号：98A0261456
3C-SiC中の電子捕獲中心におけるキャリア放出と捕獲の過程の研究
Study of Carrier Emission and Capture Processes at Electron Traps in 3C-SiC.
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
KOGA Y
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ABE T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ARAI E
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
YAMADA N
(Toyota Central Res. and Dev. Lab. Inc., Aichi, JPN)
,
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 1A/B ページ： L18-L20 発行年： 1998年01月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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