文献
J-GLOBAL ID:200902163617304528
整理番号:93A0886936
ジスプロシウムをドープした水素化非晶質シリコン
Hydrogenated amorphous silicon doped with dysprosium.
著者 (4件):
KULIKOV G S
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
MEZDROGINA M M
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
PERSHEEV S K
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
,
ABDURAKHMANOV K P
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
27
号:
6
ページ:
583-584
発行年:
1993年06月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)