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文献
J-GLOBAL ID：200902163651777052
整理番号：01A0484943
サブ0.1μm MOS素子における非定常電子/正孔輸送 移動度との相関および低電力CMOS応用
Nonstationary Electron/Hole Transport in Sub-0.1μm MOS Devices: Correlation with Mobility and Low-Power CMOS Application.
OHBA R
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
MIZUNO T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 2 ページ： 338-343 発行年： 2001年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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