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文献
J-GLOBAL ID：200902163703548901
整理番号：01A0914457
6H-SiC結晶の物理的気体輸送成長の間におけるほう素およびバナジウムの組込み
Incorporation of boron and vanadium during PVT growth of 6H-SiC crystals.
BICKERMANN M
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
EPELBAUM B M
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
HOFMANN D
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
STRAUBINGER T L
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
WEINGAERTNER R
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
WINNACKER A
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 233 号： 1/2 ページ： 211-218 発行年： 2001年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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