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文献
J-GLOBAL ID：200902163726600722
整理番号：96A0963792
A Novel Booster Plate Technology in High Density NAND Flash Memories for Voltage Scaling-Down and Zero Program Disturbance.
CHOI J D
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM D J
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
JANG D S
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM J
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM H S
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
SHIN W C
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
AHN S T
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
,
KWON O H
(Samsung Electronics Co., LTD., Kyungki-Do, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1996 ページ： 238-239 発行年： 1996年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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