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文献
J-GLOBAL ID：200902163727056651
整理番号：02A0401252
ナノ多孔質体と選択的めっき技術を組み合わせた新しい高密度配線技術
New High-Density Wiring Technique Using Nanoporous Substrates and Photoinduced Selective Plating.
平岡俊郎
(東芝 研開セ)
,
堀田康之
(東芝 研開セ)
,
真竹茂
(東芝 研開セ)
資料名：
東芝レビュー
(Toshiba Review)
巻： 57 号： 4 ページ： 31-34 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： F0360A ISSN： 0372-0462 CODEN： TORBA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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