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文献
J-GLOBAL ID：200902163732647102
整理番号：00A0767973
プラズマ増強化学蒸着によって成長させたSi0.17Ge0.83チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの高い正孔移動度
High hole mobility in Si0.17Ge0.83 channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
HOECK G
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
KOHN E
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
ROSENBLAD C
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
VON KAENEL H
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
HERZOG H-J
(Daimler Chrysler, Ulm, DEU)
,
KOENIG U
(Daimler Chrysler, Ulm, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 76 号： 26 ページ： 3920-3922 発行年： 2000年06月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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