文献
J-GLOBAL ID:200902163783152868
整理番号:01A0017009
乾式および湿式エッチングで処理した高電圧メサ構造GaN Schottky整流器
High-voltage mesa-structure GaN Schottky rectifiers processed by dry and wet etching.
著者 (6件):
ZHU T G
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
LAMBERT D J H
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
SHELTON B S
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
WONG M M
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
CHOWDHURY U
(Univ. Texas at Austin, Texas)
,
DUPUIS R D
(Univ. Texas at Austin, Texas)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
77
号:
18
ページ:
2918-2920
発行年:
2000年10月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)