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文献
J-GLOBAL ID：200902163865602012
整理番号：01A0700033
100nmを切る領域での相補型金属酸化物半導体回路の性能に及ぼす歪Siチャネルの影響
Impact of Strained-Si Channel on Complementary Metal Oxide Semiconductor Circuit Performance under the Sub-100nm Regime.
HATAKEYAMA T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
MATSUZAWA K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKAGI S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 4B ページ： 2627-2632 発行年： 2001年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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