文献
J-GLOBAL ID:200902163872477878
整理番号:03A0079047
ボイド支援剥離を伴う水素化物気相エピタクシーを用いた自立GaNウエハの製造におけるTiN薄膜の役割
Role of TiN Film in the Fabrication of Freestanding GaN Wafers Using Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation.
著者 (7件):
USUI A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
ICHIHASHI T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
KOBAYASHI K
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SUNAKAWA H
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
OSHIMA Y
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
ERI T
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SHIBATA M
(Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
194
号:
2
ページ:
572-575
発行年:
2002年12月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)