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文献
J-GLOBAL ID：200902163908936505
整理番号：93A0615667
III-V族化合物半導体へのイオン注入
Ion implantation in III-V compound semiconductors.
RAO M V
(George Mason Univ., VA, USA)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 79 号： 1/4 ページ： 645-647 発行年： 1993年06月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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