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文献
J-GLOBAL ID：200902163937093509
整理番号：93A0976996
最小0.1μmゲート長超薄膜SOI・MOSFETのサブしきい値傾斜のシミュレーションと2次元解析モデル化
Simulation and Two-Dimensional Analytical Modeling of Subthreshold Slope in Ultrathin-Film SOI MOSFET’s Down to 0.1μm Gate Length.
JOACHIM H-O
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
YAMAGUCHI Y
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
ISHIKAWA K
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
INOUE Y
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
NISHIMURA T
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40 号： 10 ページ： 1812-1817 発行年： 1993年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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