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文献
J-GLOBAL ID：200902163942440454
整理番号：95A0035733
軸はずし電子ホログラフィーを用いたSi/Si p-n接合の電場分布の直接観察
Direct observation of potential distribution across Si/Si p-n junctions using off-axis electron holography.
MCCARTNEY M R
(Arizona State Univ., Arizona)
,
SMITH D J
(Arizona State Univ., Arizona)
,
HULL R
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
BEAN J C
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
VOELKL E
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
,
FROST B
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 65 号： 20 ページ： 2603-2605 発行年： 1994年11月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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