文献
J-GLOBAL ID:200902163953861540
整理番号:93A0404479
Epitaxial growth of rare earths and rare-earth compounds on II-VI semiconductors.
著者 (4件):
DAUDIN B
(Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, Grenoble, FRA)
,
GROS P
(Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, Grenoble, FRA)
,
LIGEON E
(Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, Grenoble, FRA)
,
CHAMI A C
(Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
65/66
ページ:
821-824
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)