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文献
J-GLOBAL ID：200902163967725631
整理番号：93A0423356
Large area epitaxial method for high brightness 655 nm AlGaAs double heterostructure red LEDs.
SHEA J S
(Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN)
,
YOU B T
(Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN)
,
KAO J Y
(Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN)
,
DENG J R
(Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Y S
(Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN T P
(Industrial Technology Research Inst., Hsinchu, TWN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 128 号： 1/4 Pt 1 ページ： 533-537 発行年： 1993年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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