文献
J-GLOBAL ID:200902163992531698
整理番号:96A0895716
有機金属化学蒸着で成長させたエピタキシャルGaN/Al2O3の欠陥構造
Defect structure of metal-organic chemical vapor deposition-grown epitaxial (0001) GaN/Al2O3.
著者 (7件):
WU X H
(Univ. California, California)
,
BROWN L M
(Univ. California, California)
,
KAPOLNEK D
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
KELLER B
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
80
号:
6
ページ:
3228-3237
発行年:
1996年09月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)