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文献
J-GLOBAL ID：200902164005844295
整理番号：93A0400842
傾斜ベースSiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタ電流における電流利得の転落
Current Gain Rolloff in Graded-Base SiGe Heterojunction Bipolar Transistors.
CRABBE E F
(IBM Research Division, NY)
,
CRESSLER J D
(IBM Research Division, NY)
,
PATTON G L
(IBM Research Division, NY)
,
STORK J M C
(IBM Research Division, NY)
,
COMFORT J H
(IBM Research Division, NY)
,
SUN J Y-C
(IBM Research Division, NY)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 14 号： 4 ページ： 193-195 発行年： 1993年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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